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제품 소개제너다이오드

높은 신뢰성을 가진 지상 산 실리콘 제너다이오드 BZV55C2V4-BZV55C75

중국 Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. 인증
중국 Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. 인증
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높은 신뢰성을 가진 지상 산 실리콘 제너다이오드 BZV55C2V4-BZV55C75

Surface Mount Silicon Zener Diode BZV55C2V4-BZV55C75 With High Reliability
Surface Mount Silicon Zener Diode BZV55C2V4-BZV55C75 With High Reliability Surface Mount Silicon Zener Diode BZV55C2V4-BZV55C75 With High Reliability Surface Mount Silicon Zener Diode BZV55C2V4-BZV55C75 With High Reliability

큰 이미지 :  높은 신뢰성을 가진 지상 산 실리콘 제너다이오드 BZV55C2V4-BZV55C75

제품 상세 정보:

원래 장소: 중국
브랜드 이름: XUYANG
인증: ISO9001/RoHS
모델 번호: BZV55C2V4 - BZV55C75

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 2500pcs
가격: negotiation
포장 세부 사항: 권선, 2500pcs/reel에 있는 테이프
배달 시간: 5-7 일
지불 조건: 티 / T는, 웨스턴 유니온
공급 능력: momth 당 500000pcs
상세 제품 설명
부품 번호: BZV55C2V4 - BZV55C75 전압: 2.4-75V
힘: 500mW 꾸러미: SOD-80/LL-34
작동 온도: -65°C ~ 200°C 곁에 발송: DHL \ UPS \ 페더럴 익스프레스 \ EMS \ 바다
하이 라이트:

surface mount diode

,

dioda zener smd

포용력 지상 산 실리콘 제너다이오드 0.5 와트 2.4에서 75까지 볼트 ± 5% BZV55C2V4를 통해 BZV55C75

 

묘사:
BZV55C75V 시리즈 표면 산 실리콘 제너다이오드에 BZV55C2V4는 고품질입니다,

, 산업 상업의 모든 유형에 있는 사용을 위해 건설하는 우물 디자인되는, 고신뢰 성분

오락, 컴퓨터 및 자동 신청.

 

 

절대 최대 등급

Tj=25℃

모수 테스트 조건 상징 가치 단위
평균 앞으로 현재   IO 200 mA
최고봉 반복적인 앞으로 현재   IFRM 250 mA
전력 흩어지기 Tamb ≤75℃ PD 500 MW

운영과 저장 온도 범위

접합 온도

  TJ, TSTG -65~+200

 

전기 특성

(TA=25°C), 모든 유형을 위한 VF=0.9V MAX @ IF=10mA.

유형

아니다.

Zener 전압 범위

VZ @ IZT

현재를 시험하십시오

최대 Zener

임피던스

최대 반전

현재

최대

Zener 현재

IZT

ZZT @ IZT
  1.  
IR @ VR

IZM

Nom (v) 분 (v) 최대 (v)

mA

Ω

Ω mA

μA

볼트

mA

BZV55C2V4

2.4

2.280

2.520

5.0

100

600

1.0

50

1.0

208

BZV55C2V7

2.7

2.565

2.835

5.0

100

600 1.0

20

1.0

185
BZV55C3V0

3.0

2.850

3.150

5.0

95

600 1.0

10

1.0

167

BZV55C3V3

3.3

3.135

3.465

5.0

95

600 1.0

5.0

1.0

152

BZV55C3V6

3.6

3.420

3.780

5.0

90

600 1.0

5.0

1.0

139

BZV55C3V9

3.9

3.705

4.095

5.0 90 600 1.0

3.0

1.0

128

BZV55C4V3

4.3

4.085

4.515

5.0 90 600 1.0

3.0

1.0

116

BZV55C4V7

4.7

4.465

4.935

5.0

80

500

1.0

3.0

2.0

106

BZV55C5V1

5.1

4.845

5.355

5.0

60

480

1.0

2.0

2.0

96

BZV55C5V6

5.6

5.320

5.880

5.0

40

400

1.0

1.0

2.0

89

BZV55C6V2

6.2

5.890

6.510

5.0

10

150

1.0

3.0

4.0

81

BZV55C6V8

6.8

6.460

7.140

5.0

15

80 1.0

2.0

4.0

74

BZV55C7V5

7.5

7.125

7.875

5.0 15 80 1.0

1.0

5.0

67

BZV55C8V2

8.2

7.790

8.610

5.0 15 80 1.0

0.7

5.0

61

BZV55C9V1

9.1

8.645

9.555

5.0 15

100

1.0

0.5

6.0

55

BZV55C10

10

9.500

10.50

5.0

20

150 1.0

0.1

7.0

50

BZV55C11

11

10.45

11.55

5.0

20

150 1.0

0.1

8.0

45

BZV55C12

12

11.40

12.60

5.0

25

150 1.0

0.1

8.0

42

BZV55C13

13

12.35

13.65

5.0

30

170

1.0

0.1

8.0

38

BZV55C15

15

14.25

15.75

5.0

30

200

1.0

0.05

10.5

33

BZV55C16

16

15.20

16.80

5.0

40

200

1.0 0.05

11.2

31

BZV55C18

18

17.10

18.90

5.0

45

225

1.0 0.05

12.6

28

BZV55C20

20

19.00

21.00

5.0

55

225

1.0 0.05

14.0

25

BZV55C22

22

20.90

23.10

5.0

55

250

1.0 0.05

15.4

23

BZV55C24

24

22.80

25.20

5.0

70

250

1.0 0.05

16.8

21

BZV55C27

27

25.65

28.35

2.0

80

300

0.5 0.05

18.9

19

BZV55C30

30

28.50

31.50

2.0 80

300

0.5 0.05

21.0

17

BZV55C33

33

31.35

34.65

2.0 80

325

0.5 0.05

23.1

15

BZV55C36

36

34.20

37.80

2.0

90

350

0.5 0.05

25.2

14

BZV55C39

39

37.05

40.95

2.0

130

350

0.5 0.05

27.3

13

BZV55C43

43

40.85

45.15

2.0

150

375

0.5 0.05

30.1

12

BZV55C47

47

44.65

49.35

2.0

170

375

0.5 0.05

32.9

11

BZV55C51

51

48.45

53.55

2.0

180

400

0.5 0.05

35.7

9.9

BZV55C56

56

53.20

58.80

2.0

200

425

0.5 0.05

39.2

8.9

BZV55C62

62

58.90

65.10

2.0

215

450

0.5 0.05

43.4

8.0

BZV55C68

68

64.60

71.40

2.0

240

475

0.5 0.05

47.6

7.4

BZV55C75

75

71.25

78.75

2.0

255

500

0.5 0.05

52.5

6.7

 

크기

높은 신뢰성을 가진 지상 산 실리콘 제너다이오드 BZV55C2V4-BZV55C75 0

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연락처 세부 사항
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

담당자: Bixia Wu

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