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제품 소개제너다이오드

500mW 표면 산 제너다이오드 DL5221B를 통해 SOD-80/LL-34 포장을 가진 DL5267B

중국 Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. 인증
중국 Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. 인증
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500mW 표면 산 제너다이오드 DL5221B를 통해 SOD-80/LL-34 포장을 가진 DL5267B

500mW Surface Mount Zener Diode DL5221B Thru DL5267B With SOD-80 / LL-34 Package
500mW Surface Mount Zener Diode DL5221B Thru DL5267B With SOD-80 / LL-34 Package 500mW Surface Mount Zener Diode DL5221B Thru DL5267B With SOD-80 / LL-34 Package 500mW Surface Mount Zener Diode DL5221B Thru DL5267B With SOD-80 / LL-34 Package

큰 이미지 :  500mW 표면 산 제너다이오드 DL5221B를 통해 SOD-80/LL-34 포장을 가진 DL5267B

제품 상세 정보:

원래 장소: 중국
브랜드 이름: XUYANG
인증: ISO9001/RoHS
모델 번호: DL5221B - DL5267B

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 2500pcs
가격: negotiation
포장 세부 사항: 권선, 2500pcs/reel에 있는 테이프
배달 시간: 5-7 일
지불 조건: 티 / T는, 웨스턴 유니온
공급 능력: momth 당 500000pcs
상세 제품 설명
부품 번호: DL5221B - DL5267B 전압: 2.4-75V
힘: 0.5 W 부분 상태: 활동적인
꾸러미: SOD-80/LL-34 곁에 발송: DHL \ UPS \ 페더럴 익스프레스 \ EMS \ 바다
하이 라이트:

diode zener 12v

,

surface mount diode

500mW 표면 산 제너다이오드 DL5221B를 통해 SOD-80/LL-34 포장을 가진 DL5267B

 

특징

1. 높은 신뢰성
2. 아주 예리한 반전 특성
3. 낮은 반전 현재 수준
4. VZ-tolerance±5%

 

신청

전압 안정화

 

절대 최대 등급

Tj=25℃

모수 테스트 조건 상징 가치 단위
전력 흩어지기 RthJA≦300K/W Pv 500 MW
Z 현재   Iz Pv/Vz mA
접합 온도   Tj 200
저장 온도 범위   Tstg -65~+200

 

 

전기 특성

Tj=25℃

모수 테스트 조건 유형 상징 Typ 최대 단위
앞으로 전압 IF =200MA   VF     1.1 V

 

유형 Vznom1) I rzjT를 위한ZK IZKzjT r I VRR TKVZ
V mA Ω Ω mA μA V %/K
DL5221B 2.4 20 <30 <1200 0.25 <100 1.0 <-0.085
DL5222B 2.5 20 <30 <1250 0.25 <100 1.0 <-0.085
DL5223B 2.7 20 <30 <1300 0.25 <75 1.0 <-0.080
DL5224B 2.8 20 <30 <1400 0.25 <75 1.0 <-0.080
DL5225B 3.0 20 <29 <1600 0.25 <50 1.0 <-0.075
DL5226B 3.3 20 <28 <1600 0.25 <25 1.0 <-0.070
DL5227B 3.6 20 <24 <1700 0.25 <15 1.0 <-0.065
DL5228B 3.9 20 <23 <1900 0.25 <10 1.0 <-0.060
DL5229B 4.3 20 <22 <2000 0.25 <5 1.0 <+0.055
DL5230B 4.7 20 <19 <1900 0.25 <5 2.0 <+0.030
DL5231B 5.1 20 <17 <1600 0.25 <5 2.0 <+0.030
DL5232B 5.6 20 <11 <1600 0.25 <5 3.0 <+0.038
DL5233B 6.0 20 <7 <1600 0.25 <5 3.5 <+0.038
DL5234B 6.2 20 <7 <1000 0.25 <5 4.0 <+0.045
DL5235B 6.8 20 <5 <750 0.25 <3 5.0 <+0.050
DL5236B 7.5 20 <6 <500 0.25 <3 6.0 <+0.058
DL5237B 8.2 20 <8 <500 0.25 <3 6.5 <+0.062
DL5238B 8.7 20 <8 <600 0.25 <3 6.5 <+0.065
DL5239B 9.1 20 <10 <600 0.25 <3 7.0 <+0.068
DL5240B 10 20 <17 <600 0.25 <3 8.0 <+0.075
DL5241B 11 20 <22 <600 0.25 <2 8.4 <+0.076
DL5242B 12 20 <30 <600 0.25 <1 9.1 <+0.077
DL5243B 13 9.5 <13 <600 0.25 <0.5 9.9 <+0.079
DL5244B 14 9.0 <15 <600 0.25 <0.1 10 <+0.082
DL5245B 15 8.5 <16 <600 0.25 <0.1 11 <+0.082
DL5246B 16 7.8 <17 <600 0.25 <0.1 12 <+0.083
DL5247B 17 7.4 <19 <600 0.25 <0.1 13 <+0.084
DL5248B 18 7.0 <21 <600 0.25 <0.1 14 <+0.085
DL5249B 19 6.6 <23 <600 0.25 <0.1 15 <+0.086
DL5250B 20 6.2 <25 <600 0.25 <0.1 16 <+0.086
DL5251B 22 5.6 <29 <600 0.25 <0.1 17 <+0.087
DL5252B 24 5.2 <33 <600 0.25 <0.1 18 <+0.088
DL5253B 25 5.0 <35 <600 0.25 <0.1 19 <+0.089
DL5254B 27 4.6 <41 <600 0.25 <0.1 21 <+0.090
DL5255B 28 4.5 <44 <600 0.25 <0.1 21 <+0.091
DL5256B 30 4.2 <49 <600 0.25 <0.1 23 <+0.091
DL5257B 33 3.8 <58 <700 0.25 <0.1 25 <+0.092
DL5258B 36 3.4 <70 <700 0.25 <0.1 27 <+0.093
DL5259B 39 3.2 <80 <800 0.25 <0.1 30 <+0.094
DL5260B 43 3.0 <93 <900 0.25 <0.1 33 <+0.095
DL5261B 47 2.7 <105 <1000 0.25 <0.1 36 <+0.095
DL5262B 51 2.5 <125 <1100 0.25 <0.1 39 <+0.096
DL5263B 56 2.2 <150 <1300 0.25 <0.1 43 <+0.096
DL5264B 60 2.1 <170 <1400 0.25 <0.1 46 <+0.097
DL5265B 62 2.0 <185 <1400 0.25 <0.1 47 <+0.097
DL5266B 68 1.8 <230 <1600 0.25 <0.1 52 <+0.097
DL5267B 75 1.7 <270 <1700 0.25 <0.1 58 <+0.098

1) 지도 온도 (TL)를 유지하고 있는 동안 열 평형에 DC 측정에 기초를 두는

30℃에, 다이오드 몸에서 9.5mm (3/8의 ”).

 

크기

500mW 표면 산 제너다이오드 DL5221B를 통해 SOD-80/LL-34 포장을 가진 DL5267B 0

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연락처 세부 사항
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

담당자: Bixia Wu

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