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제품 소개신호 쇼트 키 작은 다이오드

DO-35 유리 포장을 가진 VF 작은 신호 쇼트 키 낮은 다이오드 1N60P

중국 Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. 인증
중국 Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. 인증
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DO-35 유리 포장을 가진 VF 작은 신호 쇼트 키 낮은 다이오드 1N60P

Low VF Small Signal Schottky Diode 1N60P With DO-35 Glass Package
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큰 이미지 :  DO-35 유리 포장을 가진 VF 작은 신호 쇼트 키 낮은 다이오드 1N60P

제품 상세 정보:

원래 장소: 중국
브랜드 이름: XUYANG
인증: ISO9001
모델 번호: 1N60P

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 5000pcs
가격: negotiation
포장 세부 사항: 상자, 5000pcs/box에 있는 테이프
배달 시간: 5 - 8 일 일
지불 조건: 티 / T는, 웨스턴 유니온
공급 능력: 1 주 당 100000pcs
상세 제품 설명
부품 번호: 1N60P VR: 45V
꾸러미: DO-35 SPQ: 5000pcs
무연 상태: 무연/RoHS 곁에 발송: DHL \ UPS \ 페더럴 익스프레스 \ EMS \ 바다
하이 라이트:

schottky diode smd

,

1n914 blocking diode

DO-35 유리제 포장 탐지를 위한 낮은 VF 작은 신호 쇼트 키 다이오드 1N60 1N60P

 

특징

 

1. 높은 신뢰성

2. 낮은 반전 현재와 낮은 앞으로 전압

 

 

신청

 

낮은 현재 개정 및 고속 엇바꾸기

 

 

건축

 

실리콘 코피 평면

 

 

절대 최대 등급

 

Tj=25℃

모수 테스트 조건 유형 상징 가치 단위
반복적인 최고봉 반전 전압   1N60 VRRM 40 V
1N60P VRRM 45 V
최고봉 앞으로 큰 파도 현재 tp≦1 s 1N60 IFSM 150 mA
1N60P IFSM 500 mA
앞으로 지속 현재 Ta=25℃ 1N60 만약에 30 mA
1N60P 만약에 50 mA
저장 온도 범위     Tstg -65~+125

 

최대 내열성

 

모수 테스트 조건 상징 가치 단위
주위 접속점 PC 보드에서 50mm×50mm×1.6mm RthJA 250 K/W

 

전기 특성

 

모수 테스트 조건 유형 상징 Typ 최대 단위
앞으로 전압 IF=1mA 1N60 VF   0.32 0.5 V
1N60P VF   0.24 0.5 V
IF=30mA 1N60 VF   0.65 1.0 V
IF=200mA 1N60P VF   0.65 1.0 V
반전 현재 VR=15V 1N60 IR   1 5 μA
1N60P IR   5 10 μA
접합 용량 VR=1V, f=1MHz 1N60 CJ     2.0 pF
VR=10V, f=1MHz 1N60P CJ     6.0 pF
반전 회복 시간 IF=IR=1mA Irr=1mA RC=100?   trr     1.0 ns

 

DO-35 유리 포장을 가진 VF 작은 신호 쇼트 키 낮은 다이오드 1N60P 0

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연락처 세부 사항
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

담당자: Bixia Wu

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