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제품 소개서미스터 다이오드

0.5W 작은 지상 산 제너다이오드 저축 공간 BZM55C2V0 - BZM55C75

중국 Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. 인증
중국 Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. 인증
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0.5W 작은 지상 산 제너다이오드 저축 공간 BZM55C2V0 - BZM55C75

0.5W Small Surface Mount Zener Diode Saving Space BZM55C2V0 - BZM55C75
0.5W Small Surface Mount Zener Diode Saving Space BZM55C2V0 - BZM55C75 0.5W Small Surface Mount Zener Diode Saving Space BZM55C2V0 - BZM55C75 0.5W Small Surface Mount Zener Diode Saving Space BZM55C2V0 - BZM55C75

큰 이미지 :  0.5W 작은 지상 산 제너다이오드 저축 공간 BZM55C2V0 - BZM55C75

제품 상세 정보:

원래 장소: 중국
브랜드 이름: XUYANG
인증: ISO9001/RoHS
모델 번호: BZM55C2V0 - BZM55C75

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 2500pcs
가격: negotiation
포장 세부 사항: 권선, 2500pcs/reel에 있는 테이프
배달 시간: 5-7 일
지불 조건: 티 / T는, 웨스턴 유니온
공급 능력: momth 당 500000pcs
상세 제품 설명
부품 번호: BZM55C2V0 - BZM55C75 전압: 2.0-75V
힘: 0.5 W 허용 오차: ±5%
꾸러미: 마이크로 Melf 곁에 발송: DHL \ UPS \ 페더럴 익스프레스 \ EMS \ 바다
하이 라이트:

silicon rectifier diode

,

silicon zener diode

0.5W 2.0V-75V 작은 제너다이오드 BZM55C2V0를 통해 Melf 마이크로 포장을 가진 BZM55C75

 

특징

1. 저축 공간
2. 떼 323/SOT 23 발자국에 적합
3. 마이크로 컴퓨터 Melf 포장

 

신청

전압 안정화

 

절대 최대 등급

Tj=25℃

모수 테스트 조건 상징 가치 단위
전력 흩어지기 RthJA≦300K/W Pv 500 MW
Z 현재   Iz Pv/Vz mA
접합 온도   Tj 175
저장 온도 범위   Tstg -65~+175

 

최대 내열성

모수 테스트 조건 상징 가치 단위
주위 접속점 PC 보드에서 50mm×50mm×1.6mm thJA R 500 K/W

 

전기 특성

Tj=25℃

모수 테스트 조건 유형 상징 Typ 최대 단위
앞으로 전압 IF=200mA   VF     1.5 V

 

유형 Vznom IzjT VZT와 r를 위한ZT IZKzjT r I VRR와 IR TKVZ
BZM55C V mA V1) Ω Ω mA μA μA2) V %/K
2V4 2.4 5 2.28~2.56 <85 <600 1 <50 <100 1 -0.09~-0.06
2V7 2.7 5 2.5~2.9 <85 <600 1 <10 <50 1 -0.09~-0.06
3V0 3.0 5 2.8~3.2 <85 <600 1 <4 <40 1 -0.08~-0.05
3V3 3.3 5 3.1~3.5 <85 <600 1 <2 <40 1 -0.08~-0.05
3V6 3.6 5 3.4~3.8 <85 <600 1 <2 <40 1 -0.08~-0.05
3V9 3.9 5 3.7~4.1 <85 <600 1 <2 <40 1 -0.08~-0.05
4V3 4.3 5 4.0~3.6 <75 <600 1 <1 <20 1 -0.06~-0.03
4V7 4.7 5 4.4~5.0 <60 <600 1 <0.5 <10 1 -0.05~+0.02
5V1 5.1 5 4.8~5.4 <35 <550 1 <0.1 <2 1 -0.02~+0.02
5V6 5.6 5 5.2~6.0 <25 <450 1 <0.1 <2 1 -0.05~+0.05
6V2 6.2 5 5.8~6.6 <10 <200 1 <0.1 <2 2 0.03~0.06
6V8 6.8 5 6.4~7.2 <8 <150 1 <0.1 <2 3 0.03~0.07
7V5 7.5 5 7.0~7.9 <7 <50 1 <0.1 <2 5 0.03~0.07
8V2 8.2 5 7.7~8.7 <7 <50 1 <0.1 <2 6.2 0.03~0.08
9V1 9.1 5 8.5~9.6 <10 <50 1 <0.1 <2 6.8 0.03~0.09
10 10 5 7.7~8.7 <15 <70 1 <0.1 <2 6.2 0.03~0.1
11 11 5 10.4~11.6 <20 <70 1 <0.1 <2 8.2 0.03~0.11
12 12 5 11.4~12.7 <20 <90 1 <0.1 <2 9.1 0.03~0.011
13 13 5 12.4~14.1 <26 <110 1 <0.1 <2 10 0.03~0.011
15 15 5 13.8~15.6 <30 <110 1 <0.1 <2 11 0.03~0.011
16 16 5 15.3~17.1 <40 <170 1 <0.1 <2 12 0.03~0.011
18 18 5 16.8~19.1 <50 <170 1 <0.1 <2 13 0.03~0.011
20 20 5 18.8~21.2 <55 <220 1 <0.1 <2 15 0.03~0.011
22 22 5 20.8~23.3 <55 <220 1 <0.1 <2 16 0.04~0.012
24 24 5 22.8~25.6 <80 <220 1 <0.1 <2 18 0.04~0.012
27 27 5 25.1~28.9 <80 <220 1 <0.1 <2 20 0.04~0.012
30 30 5 28~32 <80 <220 1 <0.1 <2 22 0.04~0.012
33 33 5 31~35 <80 <220 1 <0.1 <2 24 0.04~0.012
36 36 5 34~38 <80 <220 1 <0.1 <2 27 0.04~0.012
39 39 2.5 37~41 <90 <500 0.5 <0.1 <5 30 0.04~0.012
43 43 2.5 40~46 <90 <600 0.5 <0.1 <5 33 0.04~0.012
47 47 2.5 44~50 <110 <700 0.5 <0.1 <5 36 0.04~0.012
51 51 2.5 48~54 <125 <700 0.5 <0.1 <10 36 0.04~0.012
56 56 2.5 52~60 <135 <1000 0.5 <0.1 <10 39 0.04~0.012
62 62 2.5 58~66 <150 <1000 0.5 <0.1 <10 43 0.04~0.012
68 68 2.5 64~72 <200 <1000 0.5 <0.1 <10 51 0.04~0.012
75 75 2.5 70~79 <250 <1500 0.5 <0.1 <10 56 0.04~0.012

1) 더 단단한 포용력 유효한 요구:

VZnom의 BZM55B … ±2%

 

2) Tj=150℃

 

크기

0.5W 작은 지상 산 제너다이오드 저축 공간 BZM55C2V0 - BZM55C75 0

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제일 서비스: 10 년으로 수출 판매 직원에 있는 경험은 당신을 서비스할 것입니다.

고품질: 당신이 위험을 구매하는 것을 피할 것을 도우십시오.

납품을 누전하십시오: 당신이 시간을 절약할 것을 도우십시오.

경쟁가격: 가격은 가장 낮고 그러나 가장 높은 비용 성과가 아닙니다

OEM/ODM: 우리는 자부합니다 우리 당신을 만나서 좋습니다 OEM/ODm 필요조건.

연락처 세부 사항
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

담당자: Bixia Wu

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