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고능률을 가진 1개 Amp 표면 산 쇼트 키 장벽 다이오드 SS12-SS110

중국 Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. 인증
중국 Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. 인증
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고능률을 가진 1개 Amp 표면 산 쇼트 키 장벽 다이오드 SS12-SS110

1 Amp Surface Mount Schottky Barrier Diode SS12-SS110 With High Efficiency
1 Amp Surface Mount Schottky Barrier Diode SS12-SS110 With High Efficiency 1 Amp Surface Mount Schottky Barrier Diode SS12-SS110 With High Efficiency 1 Amp Surface Mount Schottky Barrier Diode SS12-SS110 With High Efficiency

큰 이미지 :  고능률을 가진 1개 Amp 표면 산 쇼트 키 장벽 다이오드 SS12-SS110

제품 상세 정보:

원래 장소: 중국
브랜드 이름: XUYANG
인증: ISO9001
모델 번호: SS12-SS110

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 5000pcs
가격: negotiation
포장 세부 사항: 5000pcs/box
지불 조건: 티 / T는, 웨스턴 유니온, 페이팔
공급 능력: 500000pcs/month
상세 제품 설명
제품 이름: SS12-SS110 현재: 1.0A
전압: 20-110V SPQ: 50000pcs/box
꾸러미: SMA
하이 라이트:

schottky barrier rectifier

,

1n5820 schottky diode

1.0 암페어 표면 산 쇼트 키 장벽 정류기 SS12-SS110 20-110V

 

 

특징:

 

*The 플라스틱 포장은 보험업자 실험실을 나릅니다
가연성 분류 94V-0
* 표면에 의하여 거치되는 신청을 위해 -
* 금속 실리콘 접속점, 다수 운반체 유도
* 저출력 손실, 고능률
* 자동화된 관리에 대하 이상 붙박이 스트레인 릴리프

* 보장되는 고열 납땜: 맨끝에 250 C/10 초

 

기계적인 자료

 

케이스: JEDEC DO-214AC에 의하여 주조되는 플라스틱 몸
맨끝: MIL-STD-750 당 solderable 지도합니다,
방법 2026년
극성: 색깔 밴드는 음극선 끝을 표시합니다
설치 위치: 무엇이든
무게: 0.003 온스, 0.093 그램

 

최대 등급 및 전기 특성

 

25의 C 주위 온도에 등급 특별한 다른 규정이 없으면.
단일 위상 전기 용량 짐 현재를 위한 반파 60Hz, 저항하는 또는 유도 짐은, 20%에 의하여 감세합니다

 

수를 타자를 치십시오 SS12 SS13 SS14 SS15 SS16 SS18 SS110 단위
최대 재발하는 최고봉 반전 전압 20 30 40 50 60 80 100 V
최대 RMS 전압 14 21 28 35 42 56 70 V
최대 DC 막는 전압 20 30 40 50 60 80 100 V
T L에 최대 평균 앞으로 조정된 현재 (fig.1를 보십시오) 1.0 A

앞으로 큰 파도 현재, 8.3명의 Ms 단 하나 절반 정현 파를 뾰족해지십시오

정격 부하 (JEDEC 방법)에 첨가하는

30.0 A
1.0A에 최대 즉석 앞으로 전압 0.45 0.55 0.70 0.85 V
최대 DC 반전 현재 Ta=25 C 0.5 mA
정격 DC 막는 전압 Ta=100 C에 6.0 5.0 mA
전형적인 접합 용량 (Note1) 110 90 pF
전형적인 내열성 Rq JA (주 2) 88.0 C/W
조작 온도 범위 T J -65 +125 -65 +150 C
저장 온도 범위 T STG -65 +150 C

 

당기기:

 

고능률을 가진 1개 Amp 표면 산 쇼트 키 장벽 다이오드 SS12-SS110 0

 

 

 

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연락처 세부 사항
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

담당자: Bixia Wu

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